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Numero di parte | IPB027N10N3GATMA1 |
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Produttore | Infineon Technologies |
Descrizione | MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3 |
Scheda dati | |
pacchetto | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
ECAD | |
A magazzino | 45.006 piece(s) |
Prezzo unitario | Request a Quote |
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Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB027N10N3GATMA1 D# V72:2272_06377077 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
0 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB027N10N3GATMA1 D# IPB027N10N3GATMA1 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin TO-263 T/R - Tape and Reel (Alt: IPB027N10N3GATMA1) RoHS: Compliant
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0 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB027N10N3GATMA1 D# SP000506508 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin TO-263 T/R (Alt: SP000506508) RoHS: Compliant
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0 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB027N10N3GATMA1 D# C1S322000194070 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R RoHS: Compliant
pbFree: Yes
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
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1017 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB027N10N3GATMA1 D# IPB027N10N3GATMA1CT-ND |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK |
32 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB027N10N3GATMA1 D# 2443379 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N CH, 100V, 120A, TO-263-3 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
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0 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB027N10N3GATMA1 |
Infineon Technologies AG |
Single N-Channel 100 V 4.5 mOhm 206 nC OptiMOS™ Power Mosfet - D2PAK RoHS: Contact Manufacturer
pbFree: Yes
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0 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB027N10N3GATMA1 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
30735 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB027N10N3 G D# 726-IPB027N10N3G |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-Ch 100V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3 RoHS: Compliant
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1335 |
IPB027N10N3GATMA1 D# 726-IPB027N10N3GATMA |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-Ch 100V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3 RoHS: Compliant
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798 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB027N10N3GATMA1 D# XSKDRABV0054873 |
Infineon Technologies AG | 9000 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB027N10N3GATMA1. D# 27AC6718 |
Infineon Technologies AG |
Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:100V, Continuous Drain Current Id:120A, On Resistance Rds(on):0.0023ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:2.7V RoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 1000
Container: TAPE & REEL - FULL
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0 |
IPB027N10N3GATMA1 D# 85X6013 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N-CH, 100V, 120A, TO-263-3, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:100V, Continuous Drain Current Id:120A, On Resistance Rds(on):0.0023ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V RoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
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0 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB027N10N3GATMA1 D# 8259235P |
Infineon Technologies AG |
N-Channel MOSFET, 120 A, 100 V, 3-Pin D2PAK Infineon IPB027N10N3GATMA1, RL Min Qty: 2
Container: Reel
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936 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB027N10N3GATMA1 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM ONLY |
26512 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB027N10N3GATMA1 |
Infineon Technologies AG |
shipping today |
39 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB027N10N3GATMA1 D# 44558404 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
0 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB027N10N3GATMA1 D# 2443379 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N CH, 100V, 120A, TO-263-3 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
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0 |
L'impegno di Heisener per la qualità ha plasmato i nostri processi di approvvigionamento, test, spedizione e ogni passo intermedio. Questa base è alla base di ogni componente che vendiamo.
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