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IPB100N06S3L-03

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IPB100N06S3L-03

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Numero di parte IPB100N06S3L-03
Produttore Infineon Technologies
Descrizione MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3-2
Scheda dati

IPB100N06S3L-03 Scheda dati

pacchetto TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
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Specifiche IPB100N06S3L-03

ProduttoreInfineon Technologies
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
SerieOptiMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)55V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C100A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.2V @ 230µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs550nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds26240pF @ 25V
Vgs (massimo)±16V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.7 mOhm @ 80A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitorePG-TO263-3-2
Pacchetto / casoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Scheda tecnica IPB100N06S3L-03

IPB100N06S3L-03 Packaging

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Packing
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IPB100N06S3L-03 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that IPB100N06S3L-03 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the IPB100N06S3L-03. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including IPB100N06S3L-03 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of IPB100N06S3L-03 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the IPB100N06S3L-03 price and inventory displayed accurate?
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Trans MOSFET N-CH 55V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263

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MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3-2

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