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IRF630NPBF

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Numero di parte IRF630NPBF
Produttore Infineon Technologies
Descrizione MOSFET N-CH 200V 9.3A TO-220AB
Scheda dati

IRF630NPBF Scheda dati

pacchetto TO-220-3
ECAD
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Specifiche IRF630NPBF

ProduttoreInfineon Technologies
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-220-3
ECAD
SerieHEXFET?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C9.3A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs35nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds575pF @ 25V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)82W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs300 mOhm @ 5.4A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220AB
Pacchetto / casoTO-220-3

Scheda tecnica IRF630NPBF

IRF630NPBF Packaging

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Packing
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IRF630NPBF FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that IRF630NPBF is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the IRF630NPBF. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including IRF630NPBF on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of IRF630NPBF products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the IRF630NPBF price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 6. What is the process for return or replacement of IRF630NPBF?
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Trans MOSFET N-CH 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB - Bulk (Alt: 63J7338)

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MOSFET N-CH 200V 9.3A TO-220AB

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MOSFET N-CH 200V 9.3A TO220AB

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Single N-Channel 200 V 0.3 Ohm 35 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3

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N CHANNEL MOSFET, 200V, 9.3A, TO-220AB, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:200V, Continuous Drain Current Id:9.3A, On Resistance Rds(on):0.3ohm, Transistor Mounting:Through Hole, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V RoHS Compliant: Yes

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N CHANNEL MOSFET, 200V, 9.3A, TO-220AB, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:200V, Continuous Drain Current Id:9.3A, On Resistance Rds(on):0.3ohm, Transistor Mounting:Through Hole, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V RoHS Compliant: Yes

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