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IRF6631TRPBF

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Numero di parte IRF6631TRPBF
Produttore Infineon Technologies
Descrizione MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET
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pacchetto DirectFET? Isometric SQ
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Specifiche IRF6631TRPBF

ProduttoreInfineon Technologies
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoDirectFET? Isometric SQ
SerieHEXFET?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C13A (Ta), 57A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.35V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs18nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1450pF @ 15V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)2.2W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs7.8 mOhm @ 13A, 10V
temperatura di esercizio-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreDIRECTFET? SQ
Pacchetto / casoDirectFET? Isometric SQ

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N CHANNEL MOSFET, 30V, 10A, DIRECTFET SQ, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:10A, Drain Source Voltage Vds:30V, On Resistance Rds(on):7.8mohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:1.8V , RoHS Compliant: Yes

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