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IRF9Z34NL

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Numero di parte IRF9Z34NL
Produttore Infineon Technologies
Descrizione MOSFET P-CH 55V 19A TO-262
Scheda dati

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pacchetto TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
A magazzino 843 piece(s)
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Specifiche IRF9Z34NL

ProduttoreInfineon Technologies
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
SerieHEXFET?
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)55V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C19A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs35nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds620pF @ 25V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)3.8W (Ta), 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs100 mOhm @ 10A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-262
Pacchetto / casoTO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

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Trans MOSFET P-CH 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

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Transistor: P-MOSFET, unipolar, HEXFET, -55V, -19A, 68W

11
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Trans MOSFET P-CH 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-262

450
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MOSFET P-CH 55V 19A TO262

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MOSFET, P-CH, -55V, -19A, TO-262-3

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  • 5000,7440 GBP
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D# 19K8339

Infineon Technologies AG

P CHANNEL MOSFET, -55V, 19A, TO-262, Transistor Polarity:P Channel, Drain Source Voltage Vds:55V, Continuous Drain Current Id:19A, On Resistance Rds(on):0.1ohm, Transistor Mounting:Through Hole, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, MSL:- RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
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Infineon Technologies AG

Trans MOSFET P-CH 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

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MOSFET P-CH 55V 19A TO-262

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  • 1020$0,2940
  • 765$0,3270
  • 595$0,3370
  • 435$0,3480
  • 280$0,3590
  • 120$0,4240
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D# 2576890

Infineon Technologies AG

MOSFET, P-CH, -55V, -19A, TO-262-3

RoHS: Compliant
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Container: Each
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  • 5001,2400 SGD
  • 2501,3600 SGD
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