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IXFH9N80

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Numero di parte IXFH9N80
Produttore IXYS
Descrizione MOSFET N-CH 800V 9A TO-247
Scheda dati

IXFH9N80 Scheda dati

pacchetto TO-247-3
A magazzino 103.464 piece(s)
Prezzo unitario $ 9,6300 *
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Specifiche IXFH9N80

ProduttoreIXYS
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-247-3
SerieHiPerFET?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)800V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C9A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4.5V @ 2.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs130nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2600pF @ 25V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)180W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs900 mOhm @ 500mA, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-247AD (IXFH)
Pacchetto / casoTO-247-3

Scheda tecnica IXFH9N80

IXFH9N80 Packaging

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IXFH9N80 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that IXFH9N80 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the IXFH9N80. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including IXFH9N80 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of IXFH9N80 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the IXFH9N80 price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of IXFH9N80?
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