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SQ2361EES-T1-GE3

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SQ2361EES-T1-GE3

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Numero di parte SQ2361EES-T1-GE3
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT23
Scheda dati

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pacchetto TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Specifiche SQ2361EES-T1-GE3

ProduttoreVishay Siliconix
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SerieTrenchFET?
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C2.5A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs17nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds545pF @ 30V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs150 mOhm @ 2.4A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-23-3 (TO-236)
Pacchetto / casoTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Scheda tecnica SQ2361EES-T1-GE3

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MOSFET, P CH, -60V, -2.5A, SOT-23-3

2564
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