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SQD35N05-26L-GE3

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SQD35N05-26L-GE3

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Numero di parte SQD35N05-26L-GE3
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET N-CH 55V 30A TO252
Scheda dati

SQD35N05-26L-GE3 Scheda dati

pacchetto TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
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Specifiche SQD35N05-26L-GE3

ProduttoreVishay Siliconix
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
SerieTrenchFET?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)55V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C30A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs18nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1175pF @ 25V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs20 mOhm @ 20A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-252, (D-Pak)
Pacchetto / casoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Scheda tecnica SQD35N05-26L-GE3

SQD35N05-26L-GE3 Packaging

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Packing
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SQD35N05-26L-GE3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SQD35N05-26L-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the SQD35N05-26L-GE3. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including SQD35N05-26L-GE3 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of SQD35N05-26L-GE3 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the SQD35N05-26L-GE3 price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SQD35N05-26L-GE3?
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Vishay Siliconix

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Vishay Siliconix

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