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STB11NM60N-1

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STB11NM60N-1

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Numero di parte STB11NM60N-1
Produttore STMicroelectronics
Descrizione MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK
Scheda dati
pacchetto TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
A magazzino 4.816 piece(s)
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Specifiche STB11NM60N-1

ProduttoreSTMicroelectronics
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
SerieMDmesh? II
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C10A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs31nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds850pF @ 50V
Vgs (massimo)±25V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs450 mOhm @ 5A, 10V
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreI2PAK
Pacchetto / casoTO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

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STB11NM60N-1 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that STB11NM60N-1 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the STB11NM60N-1. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including STB11NM60N-1 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of STB11NM60N-1 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the STB11NM60N-1 price and inventory displayed accurate?
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