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STH210N75F6-2

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STH210N75F6-2

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Numero di parte STH210N75F6-2
Produttore STMicroelectronics
Descrizione MOSFET N-CH 75V 180A H2PAK-2
Scheda dati

STH210N75F6-2 Scheda dati

pacchetto TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab) Variant
ECAD
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Specifiche STH210N75F6-2

ProduttoreSTMicroelectronics
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab) Variant
ECAD
SerieDeepGATE?, STripFET? VI
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)75V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C180A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs171nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds11800pF @ 25V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.8 mOhm @ 90A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreH2PAK
Pacchetto / casoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab) Variant

Scheda tecnica STH210N75F6-2

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