Name: 2SA1013-O,T6MIBF(J
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 2SA1013-O-T6MIBF-J
Availability: InStock
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2SA1013-O,T6MIBF(J

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Numero di parte	2SA1013-O,T6MIBF(J
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione	TRANS PNP 1A 160V TO226-3
Scheda dati	2SA1013-O,T6MIBF(J Scheda dati
pacchetto	TO-226-3, TO-92-3 Long Body
ECAD
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Specifiche 2SA1013-O,T6MIBF(J

Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli
pacchetto	TO-226-3, TO-92-3 Long Body
ECAD
Serie	-
Transistor Type	PNP
Corrente - Collector (Ic) (Max)	1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	160V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	1.5V @ 50mA, 500mA
Corrente - Limite del collettore (max)	1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	60 @ 200mA, 5V
Potenza - Max	900mW
Frequenza - Transizione	50MHz
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto / caso	TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-92L

Scheda tecnica 2SA1013-O,T6MIBF(J

2SA1013-O,T6MIBF(J Packaging

2SA1013-O,T6MIBF(J FAQ

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(1)Inform us within 90 days

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Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

2SA1013-O,T6MIBF(J

D# 2SA1013-OT6MIBF(J-ND

Toshiba America Electronic Components

TRANS PNP 1A 160V TO226-3

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