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2SJ360(TE12L,F)

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Numero di parte 2SJ360(TE12L,F)
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET P-CH 60V 1A SC-62
Scheda dati

2SJ360(TE12L,F) Scheda dati
pacchetto TO-243AA
ECAD
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Specifiche 2SJ360(TE12L,F)

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-243AA
ECAD
Serie-
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C1A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6.5nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds155pF @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs730 mOhm @ 500mA, 10V
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitorePW-MINI
Pacchetto / casoTO-243AA

Scheda tecnica 2SJ360(TE12L,F)

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  • 2. How does Heisener guarantee that 2SJ360(TE12L,F) is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the 2SJ360(TE12L,F) price and inventory displayed accurate?
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Trans MOSFET P-CH 60V 1A 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R (Alt: 2SJ360(TE12L,F))

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