| Numero di parte | 2SK1339-E |
|---|---|
| Produttore | Renesas Electronics America |
| Descrizione | MOSFET N-CH 900V 3A TO-3P |
| Scheda dati | |
| pacchetto | TO-3P-3, SC-65-3 |
| ECAD |
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| A magazzino | 21.252 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
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| Produttore | Renesas Electronics America |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | TO-3P-3, SC-65-3 |
| ECAD |
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| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 425pF @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 80W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7 Ohm @ 1.5A, 10V |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-3P |
| Pacchetto / caso | TO-3P-3, SC-65-3 |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
2SK1339-E D# 2SK1339-E |
Renesas Electronics Corporation |
Trans MOSFET N-CH 900V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-3P (Alt: 2SK1339-E) |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
2SK1339-E |
Renesas Electronics Corporation |
MOSFET N-CH 900V 3A TO-3P |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
2SK1339-E D# 2SK1339-E-ND |
Renesas Electronics Corporation |
MOSFET N-CH 900V 3A TO3P |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
2SK1339-E |
Renesas Electronics Corporation |
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120 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
2SK1339-E D# NS-2SK1339-E |
Renesas Electronics Corporation |
OEM/CM ONLY |
1887 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
2SK1339-E |
Renesas Electronics Corporation |
shipping today |
19 |
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