Name: 2SK3309(Q)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 2SK3309-Q
Availability: InStock
Rating: 5 (193 reviews)

2SK3309(Q)

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Numero di parte	2SK3309(Q)
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione	MOSFET N-CH 450V 10A TO220FL
Scheda dati	2SK3309(Q) Scheda dati
pacchetto	TO-220-3, Short Tab
ECAD
A magazzino	6.224 piece(s)
Prezzo unitario	Request a Quote
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Specifiche 2SK3309(Q)

Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-220-3, Short Tab
ECAD
Serie	-
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	450V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	10A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	23nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	920pF @ 10V
Vgs (massimo)	±30V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	650 mOhm @ 5A, 10V
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-220FL
Pacchetto / caso	TO-220-3, Short Tab

Scheda tecnica 2SK3309(Q)

2SK3309(Q) Packaging

2SK3309(Q) FAQ

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(1)Inform us within 90 days

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RoHS (ship within 1day) - D/C 2010

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OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

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