Name: AFV09P350-04GNR3
Brand: NXP
SKU: AFV09P350-04GNR3
Availability: InStock
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AFV09P350-04GNR3

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Numero di parte	AFV09P350-04GNR3
Produttore	NXP
Descrizione	FET RF 2CH 105V 920MHZ OM780-4GW
Scheda dati	AFV09P350-04GNR3 Scheda dati
pacchetto	OM-780G-4L
ECAD
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Specifiche AFV09P350-04GNR3

Produttore	NXP
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - RF
pacchetto	OM-780G-4L
ECAD
Serie	-
Transistor Type	LDMOS (Dual)
Frequenza	920MHz
Guadagno	19.5dB
Voltaggio - Test	48V
Valutazione attuale	-
Figura di rumore	-
Corrente - Test	860mA
Potenza - Uscita	100W
Tensione - Rated	105V
Pacchetto / caso	OM-780G-4L
Pacchetto dispositivo fornitore	OM-780G-4L

Scheda tecnica AFV09P350-04GNR3

AFV09P350-04GNR3 Packaging

AFV09P350-04GNR3 FAQ

1. How to order AFV09P350-04GNR3 on Heisener?

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2. How does Heisener guarantee that AFV09P350-04GNR3 is from the original manufacturer or authorized agents?

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3. Are the AFV09P350-04GNR3 price and inventory displayed accurate?

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

AFV09P350-04GNR3

D# V36:1790_07185780

NXP Semiconductors

Trans RF FET N-CH 105V 5-Pin OM-780G EP T/R

RoHS: Compliant

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

AFV09P350-04GNR3

D# AFV09P350-04GNR3

NXP Semiconductors

Power LDMOS Transistor N-Channel 105V 4-Pin OM-780G T/R - Bulk (Alt: AFV09P350-04GNR3)

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

AFV09P350-04GNR3

D# 2156-AFV09P350-04GNR3-ND

Rochester Electronics LLC

RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR

253

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

AFV09P35004GNR3

NXP Semiconductors

OEM/CM ONLY

255

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

AFV09P350-04GNR3

D# AFV09P350-04GNR

NXP Semiconductors

RF POWER TRANSISTOR

RoHS: Compliant

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

AFV09P350-04GNR3

Freescale Semiconductor

RF Power Field-Effect Transistor

RoHS: Compliant

253

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