Name: ALD212900APAL
Brand: Advanced Linear Devices Inc.
SKU: ALD212900APAL
Availability: InStock
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ALD212900APAL

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Numero di parte	ALD212900APAL
Produttore	Advanced Linear Devices Inc.
Descrizione	MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP
Scheda dati	ALD212900APAL Scheda dati
pacchetto	8-DIP (0.300", 7.62mm)
ECAD
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Specifiche ALD212900APAL

Produttore	Advanced Linear Devices Inc.
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchetto	8-DIP (0.300", 7.62mm)
ECAD
Serie	EPAD?, Zero Threshold?
Tipo FET	2 N-Channel (Dual) Matched Pair
Caratteristica FET	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	10.6V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	80mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	14 Ohm
Vgs (th) (Max) @ Id	10mV @ 20µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	30pF @ 5V
Potenza - Max	500mW
temperatura di esercizio	0°C ~ 70°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto / caso	8-DIP (0.300", 7.62mm)
Pacchetto dispositivo fornitore	8-PDIP

Scheda tecnica ALD212900APAL

ALD212900APAL Packaging

ALD212900APAL FAQ

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Advanced Linear Devices Inc

MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP

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D# 1014-1215-ND

Advanced Linear Devices Inc

MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP

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ALD212900APAL

ADVANCED LINEAR DEVICES I

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

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ALD212900APAL

D# 585-ALD212900APAL

Advanced Linear Devices Inc

MOSFET Dual N-Ch EPAD FET Array VGS=0.0V

RoHS: Compliant

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OEM/CM ONLY

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