Name: APTGT35DA120D1G
Brand: Microsemi Corporation
SKU: APTGT35DA120D1G
Availability: InStock
Rating: 5 (95 reviews)

APTGT35DA120D1G

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Numero di parte	APTGT35DA120D1G
Produttore	Microsemi Corporation
Descrizione	IGBT 1200V 55A 205W D1
Scheda dati	APTGT35DA120D1G Scheda dati
pacchetto	D1
ECAD
A magazzino	5.024 piece(s)
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Specifiche APTGT35DA120D1G

Produttore	Microsemi Corporation
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - IGBT - Moduli
pacchetto	D1
ECAD
Serie	-
Tipo IGBT	Trench Field Stop
Configurazione	Single
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1200V
Corrente - Collector (Ic) (Max)	55A
Potenza - Max	205W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	2.1V @ 15V, 35A
Corrente - Limite del collettore (max)	5mA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce	2.5nF @ 25V
Ingresso	Standard
Termistore NTC	No
temperatura di esercizio	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Chassis Mount
Pacchetto / caso	D1
Pacchetto dispositivo fornitore	D1

Scheda tecnica APTGT35DA120D1G

APTGT35DA120D1G Packaging

APTGT35DA120D1G FAQ

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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the APTGT35DA120D1G we delivered, we will accept the replacement or return of the APTGT35DA120D1G only when all of the below conditions are fulfilled:

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of APTGT35DA120D1G.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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APTGT35DA120D1G

Microsemi Corporation

IGBT 1200V 55A 205W D1

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APTGT35DA120D1G

D# APTGT35DA120D1G-ND

Microsemi Corporation

IGBT MODULE 1200V 55A 205W D1

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APTGT35DA120D1G

APT

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

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APTGT35DA120D1G

D# NS-APTGT35DA120D1G

Microsemi Corporation

OEM/CM ONLY

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