Name: APTGT50A120D1G
Brand: Microsemi Corporation
SKU: APTGT50A120D1G
Availability: InStock
Rating: 5 (89 reviews)

APTGT50A120D1G

Per Riferimento Soltanto

Numero di parte	APTGT50A120D1G
Produttore	Microsemi Corporation
Descrizione	IGBT MOD TRENCH PHASE LEG D1
Scheda dati
pacchetto	D1
ECAD
A magazzino	2.784 piece(s)
Prezzo unitario	Request a Quote
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Specifiche APTGT50A120D1G

Produttore	Microsemi Corporation
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - IGBT - Moduli
pacchetto	D1
ECAD
Serie	-
Tipo IGBT	Trench Field Stop
Configurazione	Half Bridge
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1200V
Corrente - Collector (Ic) (Max)	75A
Potenza - Max	270W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	2.1V @ 15V, 50A
Corrente - Limite del collettore (max)	5mA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce	3.6nF @ 25V
Ingresso	Standard
Termistore NTC	No
temperatura di esercizio	-
Tipo di montaggio	Chassis Mount
Pacchetto / caso	D1
Pacchetto dispositivo fornitore	D1

APTGT50A120D1G Packaging

APTGT50A120D1G FAQ

1. How to order APTGT50A120D1G on Heisener?

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3. Are the APTGT50A120D1G price and inventory displayed accurate?

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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APTGT50A120D1G

Microsemi Corporation

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APTGT50A120D1G

D# APTGT50A120D1G-ND

Microsemi Corporation

IGBT MODULE 1200V 75A 270W D1

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APTGT50A120D1G

APT

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

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APTGT50A120D1G

D# NS-APTGT50A120D1G

Microsemi Corporation

OEM/CM ONLY

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