Name: APTGV50H120T3G
Brand: Microsemi Corporation
SKU: APTGV50H120T3G
Availability: InStock
Rating: 5 (188 reviews)

APTGV50H120T3G

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Numero di parte	APTGV50H120T3G
Produttore	Microsemi Corporation
Descrizione	IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP3
Scheda dati
pacchetto	SP3
ECAD
A magazzino	4.624 piece(s)
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Specifiche APTGV50H120T3G

Produttore	Microsemi Corporation
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - IGBT - Moduli
pacchetto	SP3
ECAD
Serie	-
Tipo IGBT	NPT, Trench Field Stop
Configurazione	Full Bridge Inverter
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1200V
Corrente - Collector (Ic) (Max)	75A
Potenza - Max	270W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	2.1V @ 15V, 50A
Corrente - Limite del collettore (max)	250µA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce	3.6nF @ 25V
Ingresso	Standard
Termistore NTC	Yes
temperatura di esercizio	-
Tipo di montaggio	Chassis Mount
Pacchetto / caso	SP3
Pacchetto dispositivo fornitore	SP3

APTGV50H120T3G Packaging

APTGV50H120T3G FAQ

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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the APTGV50H120T3G we delivered, we will accept the replacement or return of the APTGV50H120T3G only when all of the below conditions are fulfilled:

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of APTGV50H120T3G.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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APTGV50H120T3G

Microsemi Corporation

POWER MODULE - IGBT - Bulk

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APTGV50H120T3G

D# APTGV50H120T3G-ND

Microsemi Corporation

IGBT MODULE 1200V 75A 270W SP3

Numero di parte

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APTGV50H120T3G

D# NS-APTGV50H120T3G

Microsemi Corporation

OEM/CM ONLY

3245

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