Name: APTM100DA18T1G
Brand: Microsemi Corporation
SKU: APTM100DA18T1G
Availability: InStock
Rating: 5 (167 reviews)

APTM100DA18T1G

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Numero di parte	APTM100DA18T1G
Produttore	Microsemi Corporation
Descrizione	MOSFET N-CH 1000V 40A SP1
Scheda dati	APTM100DA18T1G Scheda dati
pacchetto	SP1
ECAD
A magazzino	7.056 piece(s)
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Specifiche APTM100DA18T1G

Produttore	Microsemi Corporation
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	SP1
ECAD
Serie	-
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	1000V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	40A
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 2.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	570nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	14800pF @ 25V
Vgs (massimo)	±30V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	657W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	216 mOhm @ 33A, 10V
temperatura di esercizio	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Chassis Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	SP1
Pacchetto / caso	SP1

Scheda tecnica APTM100DA18T1G

APTM100DA18T1G Packaging

APTM100DA18T1G FAQ

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2. How does Heisener guarantee that APTM100DA18T1G is from the original manufacturer or authorized agents?

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3. Are the APTM100DA18T1G price and inventory displayed accurate?

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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the APTM100DA18T1G we delivered, we will accept the replacement or return of the APTM100DA18T1G only when all of the below conditions are fulfilled:

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of APTM100DA18T1G.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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D# APTM100DA18T1G-ND

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