Name: APTM120DA56T1G
Brand: Microsemi Corporation
SKU: APTM120DA56T1G
Availability: InStock
Rating: 5 (161 reviews)

APTM120DA56T1G

Per Riferimento Soltanto

Numero di parte	APTM120DA56T1G
Produttore	Microsemi Corporation
Descrizione	MOSFET N-CH 1200V 18A SP1
Scheda dati
pacchetto	SP1
ECAD
A magazzino	3.520 piece(s)
Prezzo unitario	Request a Quote
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Specifiche APTM120DA56T1G

Produttore	Microsemi Corporation
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	SP1
ECAD
Serie	-
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	1200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	18A
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 2.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	300nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	7736pF @ 25V
Vgs (massimo)	±30V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	390W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	672 mOhm @ 14A, 10V
temperatura di esercizio	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Chassis Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	SP1
Pacchetto / caso	SP1

APTM120DA56T1G Packaging

APTM120DA56T1G FAQ

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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the APTM120DA56T1G we delivered, we will accept the replacement or return of the APTM120DA56T1G only when all of the below conditions are fulfilled:

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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D# APTM120DA56T1G-ND

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