Name: BFG198,115
Brand: NXP
SKU: BFG198-115
Availability: InStock
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BFG198,115

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Numero di parte	BFG198,115
Produttore	NXP
Descrizione	TRANS NPN 10V 8GHZ SC73
Scheda dati	BFG198,115 Scheda dati
pacchetto	TO-261-4, TO-261AA
ECAD
A magazzino	5.008 piece(s)
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Specifiche BFG198,115

Produttore	NXP
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - Bipolari (BJT) - RF
pacchetto	TO-261-4, TO-261AA
ECAD
Serie	-
Transistor Type	NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	10V
Frequenza - Transizione	8GHz
Figura del rumore (dB Typ @ f)	-
Guadagno	-
Potenza - Max	1W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	40 @ 50mA, 5V
Corrente - Collector (Ic) (Max)	100mA
temperatura di esercizio	175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	TO-261-4, TO-261AA
Pacchetto dispositivo fornitore	SOT-223

Scheda tecnica BFG198,115

BFG198,115 Packaging

BFG198,115 FAQ

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Numero di parte

Produttore

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Azione

BFG198,115

D# 568-8478-2-ND

NXP Semiconductors

RF TRANS NPN 10V 8GHZ SOT223

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

BFG198,115

D# 1758042RL

NXP Semiconductors

TRANS NPN 10V 8GHZ SOT223

RoHS: Compliant

Min Qty: 1

Container: Reel

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

BFG198115

NXP Semiconductors

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

6900

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

BFG198115PHI

NXP Semiconductors

OEM/CM ONLY

456

BFG198115

NXP Semiconductors

OEM/CM ONLY

807

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

BFG198,115

D# 79R1822

NXP Semiconductors

RF WIDEBAND TRANSISTOR, NPN, 10V, 8GHZ, 4-SOT-223, Transistor Polarity:NPN, Collector Emitter Voltage V(br)ceo:10V, Transition Frequency ft:8GHz, Power Dissipation Pd:1W, DC Collector Current:100mA, RF Transistor Case:SOT-223, MSL:- RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant

Min Qty: 1000

Container: Cut Tape

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BFG198115

NXP Semiconductors

OEM/CM ONLY

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