| Numero di parte | BSC009NE2LS |
|---|---|
| Produttore | Infineon Technologies |
| Descrizione | MOSFET N-CH 25V 41A TDSON-8 |
| Scheda dati | |
| pacchetto | 8-PowerTDFN |
| ECAD |
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| A magazzino | 206.316 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
| Tempi di Consegna | Spedizione immediata |
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| Produttore | Infineon Technologies |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | 8-PowerTDFN |
| ECAD |
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| Serie | OptiMOS? |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 41A (Ta), 100A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 126nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5800pF @ 12V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 2.5W (Ta), 96W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.9 mOhm @ 30A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TDSON-8 |
| Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
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SIT1602BC-83-25S-31.250000T | SiTIME, -20 TO 70C, 7050, 50PPM, 2.5V, 3, -, OptiMOS? | Visualizza |
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C316C223G3G5TA | KEMET, CAP CER 0.022UF 25V C0G RADIAL, Radial, OptiMOS? | Visualizza |
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EDH476M100S9PAA | KEMET, ALU ELECTROLYTIC SMD EDH 100VDC, Radial, Can - SMD, OptiMOS? | Visualizza |
 
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SN74HC08QDRQ1 | Texas Instruments, IC GATE AND 4CH 2-INP 14-SOIC, 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width), OptiMOS? | Visualizza |
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MC68HC908KX8CDW | NXP, IC MCU 8BIT 8KB FLASH 16SOIC, 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width), OptiMOS? | Visualizza |
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1DB102K | Ametherm, NTC THERMISTOR 1K OHM 10% DISC, Disc, 2.5mm Dia x 1.5mm W, OptiMOS? | Visualizza |
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RHS10KE | Ohmite, POT 10K OHM 25W WIREWOUND LINEAR, -, OptiMOS? | Visualizza |
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CDEP134NP-1R2MC-H | Sumida America Components Inc., FIXED IND 1.2UH 15A 3.7 MOHM SMD, Nonstandard, OptiMOS? | Visualizza |
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20021122-00008D4LF | Amphenol FCI, 1.27 BTB HD SMT RA, -, OptiMOS? | Visualizza |
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8T616B06PN | Souriau, 8T 6C 6#20 PIN PLUG, -, OptiMOS? | Visualizza |
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97-3108B20-4S-417-940 | Amphenol Industrial Operations, AB 4C 4#12 SKT PLUG, -, OptiMOS? | Visualizza |
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HM2P70PNE124GFLF | Amphenol FCI, CONN HEADER 110POS TYPE B VERT, -, OptiMOS? | Visualizza |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSC009NE2LSATMA1 D# V72:2272_06383247 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSC009NE2LSATMA1 D# 50Y1791 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP - Product that comes on tape, but is not reeled (Alt: 50Y1791) RoHS: Compliant
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSC009NE2LSATMA1 D# SP000893362 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP (Alt: SP000893362) RoHS: Compliant
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSC009NE2LSATMA1 D# BSC009NE2LSATMA1CT-ND |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-CH 25V 41A/100A TDSON |
4387 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSC009NE2LSATMA1 D# 2480703 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N-CH, 25V, 100A, TDSON-8 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
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23338 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSC009NE2LSATMA1 |
Infineon Technologies AG |
N-Channel 25 V 0.9 mOhm OptiMOS™ Power-MOSFET - PG-TDSON-8 RoHS: Contact Manufacturer
pbFree: Yes
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSC009NE2LSATMA1 |
INFINEON TECHNOLOGIES |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
34500 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSC009NE2LSATMA1. D# 29AC2868 |
Infineon Technologies AG |
Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:25V, Continuous Drain Current Id:100A, On Resistance Rds(on):750µohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:2.2V RoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 5000
Container: TAPE & REEL - FULL
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0 |
BSC009NE2LSATMA1 D# 50Y1791 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N-CH, 25V, 100A, 150DEG C, 96W, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:25V, Continuous Drain Current Id:100A, On Resistance Rds(on):750µohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V RoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
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710 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSC009NE2LSATMA1 D# 9064441 |
Infineon Technologies AG |
N-Channel MOSFET, 100 A, 25 V, 8-Pin TSDSON Infineon BSC009NE2LSATMA1, PK Min Qty: 10
Container: Package
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4940 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSC009NE2LSATMA1 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM ONLY |
1568 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSC009NE2LSATMA1 D# 31970309 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSC009NE2LSATMA1 D# 2480703 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N-CH, 25V, 100A, TDSON-8 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
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23338 |
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86-755-83210559-817
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