Name: BSC029N025S G
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC029N025S-G
Availability: InStock
Rating: 5 (94 reviews)

BSC029N025S G

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Numero di parte	BSC029N025S G
Produttore	Infineon Technologies
Descrizione	MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8
Scheda dati	BSC029N025S G Scheda dati
pacchetto	8-PowerTDFN
ECAD
A magazzino	3.728 piece(s)
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Specifiche BSC029N025S G

Produttore	Infineon Technologies
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	8-PowerTDFN
ECAD
Serie	OptiMOS?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	25V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	24A (Ta), 100A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 80µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	41nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	5090pF @ 15V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2.8W (Ta), 78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.9 mOhm @ 50A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-TDSON-8
Pacchetto / caso	8-PowerTDFN

Scheda tecnica BSC029N025S G

BSC029N025S G Packaging

BSC029N025S G FAQ

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2. How does Heisener guarantee that BSC029N025S G is from the original manufacturer or authorized agents?

We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the BSC029N025S G. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including BSC029N025S G on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of BSC029N025S G products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
3. Are the BSC029N025S G price and inventory displayed accurate?

The price and inventory of BSC029N025S G fluctuates frequently and cannot be updated in time, it will be updated periodically within 24 hours. And, our quotation usually expires after 5 days.
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6. What is the process for return or replacement of BSC029N025S G?

All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the BSC029N025S G we delivered, we will accept the replacement or return of the BSC029N025S G only when all of the below conditions are fulfilled:

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of BSC029N025S G.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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BSC029N025S G garanzie

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Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

BSC029N025SG

D# BSC029N025SG

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 25V 100A 8-Pin TDSON - Bulk (Alt: BSC029N025SG)

RoHS: Compliant

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

BSC029N025S G

Infineon Technologies AG

N/A 24 A, 25 V, 0.0045 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET GREEN, PLASTIC, TDSON-8

8868

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

BSC029N025S G

D# BSC029N025SGINTR-ND

Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 25V 24A/100A TDSON

BSC029N025SG

D# 2156-BSC029N025SG-ND

Rochester Electronics LLC

N-CHANNEL POWER MOSFET

8868

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BSC029N025SG

VBsemi Electronics Co Ltd

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33503

BSC029N025S G

VBsemi Electronics Co Ltd

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1000

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Descrizione

Azione

BSC029N025SG

Rochester Electronics LLC

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

10198

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BSC029N025S G

D# NS-BSC029N025S G

Infineon Technologies AG

OEM/CM ONLY

6335

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Descrizione

Azione

BSC029N025SG

Infineon Technologies AG

Power Field-Effect Transistor, 24A, 25V, 0.0045ohm, N-Channel, MOSFET

RoHS: Compliant

8868

Numero di parte

Produttore

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Azione

BSC029N025SG

Infineon Technologies AG

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BSC029N025SG

Infineon Technologies AG

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