Name: BSC118N10NSGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC118N10NSGATMA1
Availability: InStock
Rating: 5 (124 reviews)

BSC118N10NSGATMA1

Per Riferimento Soltanto

Numero di parte	BSC118N10NSGATMA1
Produttore	Infineon Technologies
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 71A TDSON-8
Scheda dati	BSC118N10NSGATMA1 Scheda dati
pacchetto	8-PowerTDFN
ECAD
A magazzino	7.728 piece(s)
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Specifiche BSC118N10NSGATMA1

Produttore	Infineon Technologies
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	8-PowerTDFN
ECAD
Serie	OptiMOS?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	11A (Ta), 71A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 70µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	56nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	3700pF @ 50V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	114W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11.8 mOhm @ 50A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-TDSON-8
Pacchetto / caso	8-PowerTDFN

Scheda tecnica BSC118N10NSGATMA1

BSC118N10NSGATMA1 Packaging

BSC118N10NSGATMA1 FAQ

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3. Are the BSC118N10NSGATMA1 price and inventory displayed accurate?

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4. What forms of payment are accepted?

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5. How is the shipping arranged?

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6. What is the process for return or replacement of BSC118N10NSGATMA1?

All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the BSC118N10NSGATMA1 we delivered, we will accept the replacement or return of the BSC118N10NSGATMA1 only when all of the below conditions are fulfilled:

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of BSC118N10NSGATMA1.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

BSC118N10NSGATMA1

D# V72:2272_06383308

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 100V 11A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

BSC118N10NSGATMA1

D# BSC118N10NSGATMA1

Infineon Technologies AG

Transistor MOSFET N-CH 100V 71A 8-Pin TDSON T/R - Tape and Reel (Alt: BSC118N10NSGATMA1)

RoHS: Compliant

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

BSC118N10NSGATMA1

D# SP000379599

Infineon Technologies AG

Transistor MOSFET N-CH 100V 71A 8-Pin TDSON T/R (Alt: SP000379599)

RoHS: Compliant

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

BSC118N10NSGATMA1

D# BSC118N10NSGATMA1CT-ND

Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 100V 11A/71A TDSON

10692

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

BSC118N10NSGATMA1

D# 3155099RL

Infineon Technologies AG

MOSFET, N-CH, 100V, 71A, 150DEG C, 114W

RoHS: Compliant

Min Qty: 1

Container: Reel

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

BSC118N10NSGATMA1

Infineon Technologies AG

Single N-Channel 100 V 11.8 mOhm 42 nC OptiMOS™ Power Mosfet - TDSON-8

RoHS: Contact Manufacturer

pbFree: Yes

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

BSC118N10NSGATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

11500

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

BSC118N10NS G

D# 726-BSC118N10NSG

Infineon Technologies AG

MOSFET N-Ch 100V 71A TDSON-8 OptiMOS 2

RoHS: Compliant

4938

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

BSC118N10NSGATMA1.

D# 31AC8221

Infineon Technologies AG

Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:100V, Continuous Drain Current Id:71A, On Resistance Rds(on):0.0118ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:3V RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant

Min Qty: 5000

Container: TAPE & REEL - FULL

BSC118N10NSGATMA1

D# 39AH8775

Infineon Technologies AG

MOSFET, N-CH, 100V, 71A, 150DEG C, 114W, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:71A, Drain Source Voltage Vds:100V, On Resistance Rds(on):0.01ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:3V, Power RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant

Min Qty: 1

Container: Cut Tape

4959

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

BSC118N10NSGATMA1

Infineon Technologies AG

OEM/CM ONLY

5055

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

BSC118N10NSGATMA1

D# 33988121

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 100V 11A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

BSC118N10NSGATMA1

D# 3155099

Infineon Technologies AG

MOSFET, N-CH, 100V, 71A, 150DEG C, 114W

RoHS: Compliant

Min Qty: 1

Container: Cut Tape

4959

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