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BSC886N03LSGATMA1

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BSC886N03LSGATMA1

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Numero di parte BSC886N03LSGATMA1
Produttore Infineon Technologies
Descrizione MOSFET N-CH 30V 65A TDSON-8
Scheda dati

BSC886N03LSGATMA1 Scheda dati
pacchetto 8-PowerTDFN
ECAD
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Specifiche BSC886N03LSGATMA1

ProduttoreInfineon Technologies
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto8-PowerTDFN
ECAD
SerieOptiMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C13A (Ta), 65A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs26nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2100pF @ 15V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)2.5W (Ta), 39W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs6 mOhm @ 30A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitorePG-TDSON-8
Pacchetto / caso8-PowerTDFN

Scheda tecnica BSC886N03LSGATMA1

BSC886N03LSGATMA1 Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
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BSC886N03LSGATMA1 FAQ

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    Currently, Heisener only provide peer-to-peer order processing. While you submit the RFQ, our professional agent will contact you with the competitive prices in the global market, and our agent will prompt you to finish the order if you accept our offers.
  • 2. How does Heisener guarantee that BSC886N03LSGATMA1 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the BSC886N03LSGATMA1. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including BSC886N03LSGATMA1 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of BSC886N03LSGATMA1 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the BSC886N03LSGATMA1 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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    Warm Tips: It may take up to 24 hours for the carriers to display tracking information. Usually, express delivery takes 3-5 days, and registered mail takes 25-60 days.
  • 6. What is the process for return or replacement of BSC886N03LSGATMA1?
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    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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D# V36:1790_06384827

 Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TDSON EP T/R

 0
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 Infineon Technologies AG

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BSC886N03LSGXT

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 Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TDSON EP T/R - Tape and Reel (Alt: BSC886N03LSGATMA1)

RoHS: Compliant
 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSC886N03LSGATMA1

D# C1S322000282117

 Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TDSON EP T/R

RoHS: Compliant
pbFree: Yes
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 10000
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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D# BSC886N03LSGATMA1CT-ND

 Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 30V 13A/65A TDSON

 4910
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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 Infineon Technologies AG

In stock shipping within 2days

 150
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BSC886N03LSGATMA1

D# 2617422

 Infineon Technologies AG

MOSFET, N-CH, 30V, 65A, PG-TDSON-8

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
 4382
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSC886N03LSGATMA1

 Infineon Technologies AG

Single N-Channel 30 V 6 mOhm 20 nC OptiMOS™ Power Mosfet - TDSON-8

RoHS: Contact Manufacturer
pbFree: Yes
 0
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BSC886N03LSGATMA1

 Infineon Technologies AG

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

 5039
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BSC886N03LS G

D# 726-BSC886N03LSG

 Infineon Technologies AG

MOSFET N-Ch 30V 65A TDSON-8

RoHS: Compliant
 4449
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSC886N03LSGATMA1

D# 97Y1253

 Infineon Technologies AG

MOSFET, N-CH, 30V, 65A, PG-TDSON-8, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:65A, Drain Source Voltage Vds:30V, On Resistance Rds(on):0.005ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:2.2V, Power RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
 4372
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSC886N03LSGATMA1

 Infineon Technologies AG

Power Field-Effect Transistor, 13A, 30V, 0.0092ohm, N-Channel, MOSFET

RoHS: Compliant
 4825
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSC886N03LSGATMA1

 Infineon Technologies AG

OEM/CM ONLY

 3391
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 Exar Corporation

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BSC886N03LSGATMA1

D# 43719302

 Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TDSON EP T/R

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D# 2617422

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MOSFET, N-CH, 30V, 65A, PG-TDSON-8

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