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| Numero di parte | BSL303SPEH6327XTSA1 |
|---|---|
| Produttore | Infineon Technologies |
| Descrizione | MOSFET P-CH 30V 6.3A TSOP-6 |
| Scheda dati | |
| pacchetto | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| ECAD |
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| A magazzino | 6.288 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
| Tempi di Consegna | Essere confermato |
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| Produttore | Infineon Technologies |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| ECAD |
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| Serie | OptiMOS? |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6.3A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 30µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20.9nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1401pF @ 15V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 33 mOhm @ 6.3A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TSOP6-6 |
| Pacchetto / caso | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSL303SPEH6327XTSA1 D# BSL303SPEH6327XTSA1 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET P-CH 30V 6.3A 6-pin TSOP T/R - Bulk (Alt: BSL303SPEH6327XTSA1) RoHS: Compliant
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSL303SPEH6327XTSA1 D# 2156-BSL303SPEH6327XTSA1-ND |
Rochester Electronics LLC |
MOSFET P-CH 30V 6.3A TSOP6-6 |
9785 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSL303SPEH6327XTSA1 |
Infineon Technologies AG |
Power Field-Effect Transistor, 6.3A, 30V, 0.033ohm, P-Channel, MOSFET RoHS: Compliant
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9785 |
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