Name: BSP135 E6327
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSP135-E6327
Availability: InStock
Rating: 5 (195 reviews)

BSP135 E6327

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Numero di parte	BSP135 E6327
Produttore	Infineon Technologies
Descrizione	MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
Scheda dati
pacchetto	TO-261-4, TO-261AA
ECAD
A magazzino	4.704 piece(s)
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Specifiche BSP135 E6327

Produttore	Infineon Technologies
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-261-4, TO-261AA
ECAD
Serie	SIPMOS?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	120mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	0V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 94µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	4.9nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	146pF @ 25V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	Depletion Mode
Dissipazione di potenza (max)	1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	45 Ohm @ 120mA, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-SOT223-4
Pacchetto / caso	TO-261-4, TO-261AA

BSP135 E6327 Packaging

BSP135 E6327 FAQ

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

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