Name: BSP149 E6327
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSP149-E6327
Availability: InStock
Rating: 5 (191 reviews)

BSP149 E6327

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Numero di parte	BSP149 E6327
Produttore	Infineon Technologies
Descrizione	MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
Scheda dati	BSP149 E6327 Scheda dati
pacchetto	TO-261-4, TO-261AA
ECAD
A magazzino	2.048 piece(s)
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Specifiche BSP149 E6327

Produttore	Infineon Technologies
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-261-4, TO-261AA
ECAD
Serie	SIPMOS?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	660mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	0V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 400µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	14nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	430pF @ 25V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	Depletion Mode
Dissipazione di potenza (max)	1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.8 Ohm @ 660mA, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-SOT223-4
Pacchetto / caso	TO-261-4, TO-261AA

Scheda tecnica BSP149 E6327

BSP149 E6327 Packaging

BSP149 E6327 FAQ

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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the BSP149 E6327 we delivered, we will accept the replacement or return of the BSP149 E6327 only when all of the below conditions are fulfilled:

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of BSP149 E6327.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
7.How to contact us to get technical supports, such as BSP149 E6327 pin diagram, BSP149 E6327 datasheet?

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MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223

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D# BSP149E6327-ND

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MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4

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