Name: BSP317PE6327T
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSP317PE6327T
Availability: InStock
Rating: 5 (136 reviews)

BSP317PE6327T

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Numero di parte	BSP317PE6327T
Produttore	Infineon Technologies
Descrizione	MOSFET P-CH 250V 0.43A SOT223
Scheda dati	BSP317PE6327T Scheda dati
pacchetto	TO-261-4, TO-261AA
ECAD
A magazzino	4.352 piece(s)
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Specifiche BSP317PE6327T

Produttore	Infineon Technologies
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-261-4, TO-261AA
ECAD
Serie	SIPMOS?
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	250V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	430mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 370µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	15.1nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	262pF @ 25V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4 Ohm @ 430mA, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-SOT223-4
Pacchetto / caso	TO-261-4, TO-261AA

Scheda tecnica BSP317PE6327T

BSP317PE6327T Packaging

BSP317PE6327T FAQ

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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