Name: BSS139 E6327
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSS139-E6327
Availability: InStock
Rating: 5 (157 reviews)

BSS139 E6327

Per Riferimento Soltanto

Numero di parte	BSS139 E6327
Produttore	Infineon Technologies
Descrizione	MOSFET N-CH 250V 100MA SOT-23
Scheda dati
pacchetto	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECAD
A magazzino	3.472 piece(s)
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Specifiche BSS139 E6327

Produttore	Infineon Technologies
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECAD
Serie	SIPMOS?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	250V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	100mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	0V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 56µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	3.5nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	76pF @ 25V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	Depletion Mode
Dissipazione di potenza (max)	360mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	14 Ohm @ 0.1mA, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-SOT23-3
Pacchetto / caso	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

BSS139 E6327 Packaging

BSS139 E6327 FAQ

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3. Are the BSS139 E6327 price and inventory displayed accurate?

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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BSS139 E6327

Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 250V 100MA SOT-23

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BSS139E6327

Siemens

Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 250V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

RoHS: Not Compliant

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BSS139 E6327

D# BSS139E6327-ND

Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23-3

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