Name: BSZ042N04NSGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ042N04NSGATMA1
Availability: InStock
Rating: 5 (99 reviews)

BSZ042N04NSGATMA1

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Numero di parte	BSZ042N04NSGATMA1
Produttore	Infineon Technologies
Descrizione	MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8
Scheda dati	BSZ042N04NSGATMA1 Scheda dati
pacchetto	8-PowerVDFN
ECAD
A magazzino	5.632 piece(s)
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Specifiche BSZ042N04NSGATMA1

Produttore	Infineon Technologies
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	8-PowerVDFN
ECAD
Serie	OptiMOS?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	40A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 36µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	46nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	3700pF @ 20V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2.1W (Ta), 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.2 mOhm @ 20A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-TSDSON-8
Pacchetto / caso	8-PowerVDFN

Scheda tecnica BSZ042N04NSGATMA1

BSZ042N04NSGATMA1 Packaging

BSZ042N04NSGATMA1 FAQ

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of BSZ042N04NSGATMA1.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

BSZ042N04NSGATMA1

D# BSZ042N04NSGATMA1

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TDSON T/R - Bulk (Alt: BSZ042N04NSGATMA1)

Numero di parte

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Descrizione

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BSZ042N04NSGATMA1

D# 2156-BSZ042N04NSGATMA1-ND

Rochester Electronics LLC

MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8

41981

Numero di parte

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BSZ042N04NSGATMA1

Rochester Electronics LLC

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10989

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BSZ042N04NSGATMA1

Infineon Technologies AG

BSZ042N04 - 12V-300V N-Channel Power MOSFET

RoHS: Compliant

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