Name: BSZ123N08NS3 G
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ123N08NS3-G
Availability: InStock
Rating: 5 (124 reviews)

BSZ123N08NS3 G

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Numero di parte	BSZ123N08NS3 G
Produttore	Infineon Technologies
Descrizione	MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON-8
Scheda dati	BSZ123N08NS3 G Scheda dati
pacchetto	8-PowerVDFN
ECAD
A magazzino	685.752 piece(s)
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Specifiche BSZ123N08NS3 G

Produttore	Infineon Technologies
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	8-PowerVDFN
ECAD
Serie	OptiMOS?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	80V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	10A (Ta), 40A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 33µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	25nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1700pF @ 40V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2.1W (Ta), 66W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12.3 mOhm @ 20A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-TSDSON-8
Pacchetto / caso	8-PowerVDFN

Scheda tecnica BSZ123N08NS3 G

BSZ123N08NS3 G Packaging

BSZ123N08NS3 G FAQ

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2. How does Heisener guarantee that BSZ123N08NS3 G is from the original manufacturer or authorized agents?

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3. Are the BSZ123N08NS3 G price and inventory displayed accurate?

The price and inventory of BSZ123N08NS3 G fluctuates frequently and cannot be updated in time, it will be updated periodically within 24 hours. And, our quotation usually expires after 5 days.
4. What forms of payment are accepted?

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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the BSZ123N08NS3 G we delivered, we will accept the replacement or return of the BSZ123N08NS3 G only when all of the below conditions are fulfilled:

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of BSZ123N08NS3 G.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

BSZ123N08NS3GATMA1

D# V72:2272_06384484

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 80V 10A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

BSZ123N08NS3GATMA1

D# BSZ123N08NS3GATMA1

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 80V 10A 8-Pin TSDSON T/R - Tape and Reel (Alt: BSZ123N08NS3GATMA1)

RoHS: Compliant

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

BSZ123N08NS3GATMA1

D# SP000443632

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 80V 10A 8-Pin TSDSON T/R (Alt: SP000443632)

RoHS: Compliant

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

BSZ123N08NS3 G

Infineon Technologies AG

2784

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

BSZ123N08NS3GATMA1

D# BSZ123N08NS3GATMA1TR-ND

Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 80V 10A/40A 8TSDSON

84818

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

BSZ123N08NS3GATMA1

D# 1775505

Infineon Technologies AG

MOSFET, N CH, 40A, 80V, PG-TSDSON-8

RoHS: Compliant

Min Qty: 1

Container: Each

28260

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

BSZ123N08NS3GATMA1

Infineon Technologies AG

Single N-Channel 80 V 12.3 mOhm 19 nC OptiMOS™ Power Mosfet - TSDSON-8

RoHS: Contact Manufacturer

pbFree: Yes

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

BSZ123N08NS3GATMA1

Infineon Technologies AG

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

63250

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

BSZ123N08NS3 G

Infineon Technologies AG

In Stock

2784

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

BSZ123N08NS3GATMA1

D# 726-BSZ123N08NS3GATM

Infineon Technologies AG

MOSFET N-Ch 80V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

RoHS: Compliant

19184

BSZ123N08NS3 G

D# 726-BSZ123N08NS3G

Infineon Technologies AG

MOSFET N-Ch 80V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

RoHS: Compliant

37501

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

BSZ123N08NS3GATMA1

D# XSKDRABS0032845

Infineon Technologies AG

TRANSITIONAL MOSFETS

1112

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

BSZ123N08NS3GATMA1

D# 60R2542

Infineon Technologies AG

MOSFET, N CHANNEL, 80V, 40A, PG-TSDSON, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:80V, Continuous Drain Current Id:40A, On Resistance Rds(on):0.0103ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant

Min Qty: 1

Container: Bulk

4850

BSZ123N08NS3GATMA1.

D# 27AC1116

Infineon Technologies AG

Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:80V, Continuous Drain Current Id:40A, On Resistance Rds(on):0.0103ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:2.8V RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant

Min Qty: 5000

Container: TAPE & REEL - FULL

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

BSZ123N08NS3 G

D# NS-BSZ123N08NS3 G

Infineon Technologies AG

OEM/CM ONLY

9737

Numero di parte

Produttore

Descrizione

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BSZ123N08NS3 G

D# TMOSP9644

Infineon Technologies AG

N-CH 80V 40A 12mOhm S3O8

RoHS: Compliant

Numero di parte

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Azione

BSZ123N08NS3GATMA1

Infineon Technologies AG

OEM/CM ONLY

4394

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

BSZ123N08NS3GATMA1

Infineon Technologies AG

shipping today

689

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

BSZ123N08NS3GATMA1

D# 53197795

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 80V 10A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

BSZ123N08NS3 G

Infineon Technologies AG

RFQ

14460

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

BSZ123N08NS3 G

Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON-8

8654

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

BSZ123N08NS3GATMA1

D# 1775505

Infineon Technologies AG

MOSFET, N CH, 40A, 80V, PG-TSDSON-8

RoHS: Compliant

Min Qty: 1

Container: Each

4850

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