Name: BSZ16DN25NS3 G
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ16DN25NS3-G
Availability: InStock
Rating: 5 (110 reviews)

BSZ16DN25NS3 G

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Numero di parte	BSZ16DN25NS3 G
Produttore	Infineon Technologies
Descrizione	MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON
Scheda dati	BSZ16DN25NS3 G Scheda dati
pacchetto	8-PowerTDFN
ECAD
A magazzino	49.530 piece(s)
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Specifiche BSZ16DN25NS3 G

Produttore	Infineon Technologies
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	8-PowerTDFN
ECAD
Serie	OptiMOS?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	250V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	10.9A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 32µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	11.4nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	920pF @ 100V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	165 mOhm @ 5.5A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-TSDSON-8
Pacchetto / caso	8-PowerTDFN

Scheda tecnica BSZ16DN25NS3 G

BSZ16DN25NS3 G Packaging

BSZ16DN25NS3 G FAQ

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3. Are the BSZ16DN25NS3 G price and inventory displayed accurate?

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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the BSZ16DN25NS3 G we delivered, we will accept the replacement or return of the BSZ16DN25NS3 G only when all of the below conditions are fulfilled:

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

BSZ16DN25NS3GATMA1

D# V72:2272_06383962

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 250V 10.9A 8-Pin TSDSON EP T/R

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

BSZ16DN25NS3GATMA1

D# 13AC8356

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 250V 10.9A 8-Pin TSDSON T/R - Product that comes on tape, but is not reeled (Alt: 13AC8356)

RoHS: Compliant

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

BSZ16DN25NS3GATMA1

D# SP000781800

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 250V 10.9A 8-Pin TSDSON T/R (Alt: SP000781800)

RoHS: Compliant

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

BSZ16DN25NS3GATMA1

D# C1S322000269967

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 250V 10.9A 8-Pin TSDSON EP

RoHS: Compliant

pbFree: Yes

Min Qty: 1

Container: Cut Tape

3167

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

BSZ16DN25NS3GATMA1

D# BSZ16DN25NS3GATMA1TR-ND

Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON

10000

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

BSZ16DN25NS3GATMA1

D# 2725827

Infineon Technologies AG

MOSFET, N-CH, 250V, 10.9A, TSDSON

RoHS: Compliant

Min Qty: 1

Container: Cut Tape

16285

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

BSZ16DN25NS3GATMA1

Infineon Technologies AG

Single N-Channel 250 V 165 mOhm 8.6 nC OptiMOS™ Power Mosfet - TSDSON-8

RoHS: Contact Manufacturer

pbFree: Yes

5000

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

BSZ16DN25NS3GATMA1

Infineon Technologies AG

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

19396

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

BSZ16DN25NS3GATMA1

Infineon Technologies AG

OEM/CM Immediate delivery

88720

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

BSZ16DN25NS3 G

D# 726-BSZ16DN25NS3G

Infineon Technologies AG

MOSFET N-Ch 250V 10.9A TDSON-8 OptiMOS 3

RoHS: Compliant

4229

BSZ16DN25NS3GATMA1

D# 726-BSZ16DN25NS3GATM

Infineon Technologies AG

MOSFET N-Ch 250V 10.9A TDSON-8 OptiMOS 3

RoHS: Compliant

4279

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

BSZ16DN25NS3GATMA1

D# XSFT00000005969

Infineon Technologies AG

Single N-Channel 250 V 165 mOhm 8.6 nC OptiMOS Power Mosfet - TSDSON-8

5000

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

BSZ16DN25NS3GATMA1

D# 13AC8356

Infineon Technologies AG

MOSFET, N-CH, 250V, 10.9A/150DEG C/62.5W, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:250V, Continuous Drain Current Id:10.9A, On Resistance Rds(on):0.146ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Threshold Voltage Vgs:3V RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant

Min Qty: 1

Container: Cut Tape

5831

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

BSZ16DN25NS3 G

D# TMOSP10572

Infineon Technologies AG

N-CH 250V 10,9A 165mOhm TSDSON8

RoHS: Compliant

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

BSZ16DN25NS3GATMA1

Infineon Technologies AG

OEM/CM ONLY

5016

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

BSZ16DN25NS3GATMA1

Infineon Technologies AG

IN stock Immediate delivery

88705

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

BSZ16DN25NS3GATMA1

D# 40039354

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 250V 10.9A 8-Pin TSDSON EP T/R

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

BSZ16DN25NS3GATMA1

D# 2725827

Infineon Technologies AG

MOSFET, N-CH, 250V, 10.9A, TSDSON

RoHS: Compliant

Min Qty: 1

Container: Cut Tape

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BSZ16DN25NS3 G

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