| Numero di parte | BSZ22DN20NS3 G |
|---|---|
| Produttore | Infineon Technologies |
| Descrizione | MOSFET N-CH 200V 7A 8TSDSON |
| Scheda dati | |
| pacchetto | 8-PowerTDFN |
| ECAD |
|
| A magazzino | 4.240 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
| Tempi di Consegna | Essere confermato |
| Tempo di consegna stimato | mag 6 - mag 11 (Scegli una spedizione rapida) |
| Richiedi Preventivo |
|
| Modalità di pagamento | |
| Servizi di consegna |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | 8-PowerTDFN |
| ECAD |
|
| Serie | OptiMOS? |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 7A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 13µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.6nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 430pF @ 100V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 34W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 225 mOhm @ 3.5A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TSDSON-8 |
| Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
|
517D475M250CC6AE3 | Vishay Sprague, CAP ALUM 4.7UF 20% 250V RADIAL, Radial, Can, OptiMOS? | Visualizza |
|
SK32A-LTP | Micro Commercial Co, DIODE SCHOTTKY 20V 3A DO214AC, DO-214AC, SMA, OptiMOS? | Visualizza |
 
|
MCP2200-I/SO | Microchip Technology, IC USB TO UART 20SOIC, 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width), OptiMOS? | Visualizza |
|
|
SMCJ5.0A R7G | TSC America Inc., DIODE, TVS, UNIDIRECTIONAL, 1500, DO-214AB, SMC, OptiMOS? | Visualizza |
|
1.5SMC9.1CA-E3/9AT | Vishay Semiconductor Diodes Division, TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC DO214AB, DO-214AB, SMC, OptiMOS? | Visualizza |
|
|
P51-3000-A-AA-P-20MA-000-000 | SSI Technologies Inc, SENSOR 3000PSI 7/16-20UNF 4-20MA, Cylinder, OptiMOS? | Visualizza |
|
EZR32LG330F256R60G-B0R | Silicon Labs, IC RF TXRX+MCU 802.15.4 64-VFQFN, 64-VFQFN Exposed Pad, OptiMOS? | Visualizza |
|
RN55E2942CBSL | Vishay Dale, RES 29.4K OHM 1/8W .25% AXIAL, Axial, OptiMOS? | Visualizza |
|
RCP0505W56R0JS3 | Vishay Dale, RES SMD 56 OHM 5% 5W 0505, 0505 (1412 Metric), OptiMOS? | Visualizza |
|
880-70-037-10-001101 | Preci-Dip, CONN HDR 37POS 2MM T/H, -, OptiMOS? | Visualizza |
|
DX40-50P(55) | Hirose Electric Co Ltd, CONN PLUG 50POS, -, OptiMOS? | Visualizza |
|
|
4162-201-1631 | TE Connectivity Deutsch Connectors, CONTACT SOCKET 16-20AWG CRIMP, -, OptiMOS? | Visualizza |
Garantiamo la soddisfazione del cliente al 100%.
Il nostro team di vendita esperto e il team di supporto tecnico supportano i nostri servizi per soddisfare tutti i nostri clienti.
Forniamo una garanzia di 90 giorni.
Se gli articoli che hai ricevuto non fossero di qualità perfetta, saremmo responsabili per il rimborso o la sostituzione, ma gli articoli devono essere restituiti nelle loro condizioni originali.
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSZ22DN20NS3GATMA1 D# E32:1076_02198467 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 200V 7A 8-Pin TSDSON EP T/R |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSZ22DN20NS3GATMA1 D# BSZ22DN20NS3GATMA1 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 200V 7A 8-Pin TSDSON EP - Bulk (Alt: BSZ22DN20NS3GATMA1) RoHS: Compliant
|
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSZ22DN20NS3GATMA1 D# SP000781794 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 200V 7A 8-Pin TSDSON EP (Alt: SP000781794) RoHS: Compliant
|
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSZ22DN20NS3GATMA1 D# C1S322000411092 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 200V 7A 8-Pin TSDSON EP RoHS: Compliant
pbFree: Yes
Min Qty: 5
Container: Cut Tape
|
3190 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSZ22DN20NS3GATMA1 D# BSZ22DN20NS3GATMA1TR-ND |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-CH 200V 7A 8TSDSON |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSZ22DN20NS3GATMA1 D# 2443374RL |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N CH, 200V, 7A, TSDSON-8 RoHS: Compliant
Min Qty: 5
Container: Reel
|
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSZ22DN20NS3GATMA1 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
11576 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSZ22DN20NS3GATMA1 D# 726-BSZ22DN20NS3GATM |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-Ch 200V 7A TSDSON-8 OptiMOS 3 RoHS: Compliant
|
4866 |
BSZ22DN20NS3 G D# 726-BSZ22DN20NS3G |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-Ch 200V 7A TSDSON-8 OptiMOS 3 RoHS: Compliant
|
9697 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSZ22DN20NS3GATMA1 |
Infineon Technologies AG |
BSZ22DN20 - 12V-300V N-Channel Power MOSFET RoHS: Compliant
|
177641 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSZ22DN20NS3GATMA1 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM ONLY |
161 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSZ22DN20NS3GATMA1 D# 19149261 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 200V 7A 8-Pin TSDSON EP T/R |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSZ22DN20NS3GATMA1 D# 2443374RL |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N CH, 200V, 7A, TSDSON-8 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Reel
|
0 |
L'impegno di Heisener per la qualità ha plasmato i nostri processi di approvvigionamento, test, spedizione e ogni passo intermedio. Questa base è alla base di ogni componente che vendiamo.
Avete qualche domanda circa BSZ22DN20NS3 G?
86-755-83210559-819
Scansiona per visualizzare questa pagina
