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BSZ900N20NS3 G

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BSZ900N20NS3 G

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Numero di parte BSZ900N20NS3 G
Produttore Infineon Technologies
Descrizione MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TSDSON
Scheda dati

BSZ900N20NS3 G Scheda dati

pacchetto 8-PowerTDFN
ECAD
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Specifiche BSZ900N20NS3 G

ProduttoreInfineon Technologies
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto8-PowerTDFN
ECAD
SerieOptiMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C15.2A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 30µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs11.6nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds920pF @ 100V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs90 mOhm @ 7.6A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitorePG-TSDSON-8
Pacchetto / caso8-PowerTDFN

Scheda tecnica BSZ900N20NS3 G

BSZ900N20NS3 G Packaging

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Packing
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BSZ900N20NS3 G FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that BSZ900N20NS3 G is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the BSZ900N20NS3 G. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including BSZ900N20NS3 G on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of BSZ900N20NS3 G products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the BSZ900N20NS3 G price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of BSZ900N20NS3 G?
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    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSZ900N20NS3GATMA1

D# V72:2272_06383706

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 200V 15.2A 8-Pin TSDSON EP T/R

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSZ900N20NS3GATMA1

D# 79X1341

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 200V 15.2A 8-Pin TSDSON T/R - Product that comes on tape, but is not reeled (Alt: 79X1341)

RoHS: Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSZ900N20NS3GATMA1

D# SP000781806

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 200V 15.2A 8-Pin TSDSON T/R (Alt: SP000781806)

RoHS: Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSZ900N20NS3G

Infineon Technologies AG

MOSFET, N CH, 200V, 15.2A, TSDSON-8

4171

BSZ900N20NS3 G

Infineon Technologies AG

MOSFET, N CH, 200V, 15.2A, TSDSON-8

4171
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSZ900N20NS3GATMA1

D# BSZ900N20NS3GATMA1TR-ND

Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TSDSON

5000
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSZ900N20NS3G

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14980
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSZ900N20NS3GATMA1

D# 2432723RL

Infineon Technologies AG

MOSFET, N CH, 200V, 15.2A, TSDSON-8

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Reel
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSZ900N20NS3G

Infineon Technologies AG

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

256

BSZ900N20NS3GCTND

Infineon Technologies AG

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

184

BSZ900N20NS3GATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

17250
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSZ900N20NS3 G

Infineon Technologies AG

OEM/CM Immediate delivery

80

BSZ900N20NS3G

Infineon Technologies AG

OEM/CM Immediate delivery

14720
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSZ900N20NS3 G

D# 726-BSZ900N20NS3G

Infineon Technologies AG

MOSFET N-Ch 200V 15.2A TDSON-8 OptiMOS 3

RoHS: Compliant
6222

BSZ900N20NS3GATMA1

D# 726-BSZ900N20NS3GATM

Infineon Technologies AG

MOSFET N-Ch 200V 15.2A TDSON-8 OptiMOS 3

RoHS: Compliant
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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSZ900N20NS3GATMA1

D# XSFP00000136212

Infineon Technologies AG

Single N-Channel 200 V 90 mOhm 8.7 nC OptiMOS Power Mosfet - TSDSON-8

10000
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSZ900N20NS3GATMA1

D# 79X1341

Infineon Technologies AG

MOSFET, N-CH, 200V, 15.2A, PG-TSDSON- 8, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:200V, Continuous Drain Current Id:15.2A, On Resistance Rds(on):0.077ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:10VRoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
18

BSZ900N20NS3GATMA1.

D# 27AC1118

Infineon Technologies AG

Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:200V, Continuous Drain Current Id:15.2A, On Resistance Rds(on):0.077ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:3V RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 5000
Container: TAPE & REEL - FULL
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSZ900N20NS3 G

D# NS-BSZ900N20NS3 G

Infineon Technologies AG

OEM/CM ONLY

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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSZ900N20NS3GCTND

Infineon Technologies AG

OEM/CM ONLY

176

BSZ900N20NS3G

Infineon Technologies AG

OEM/CM ONLY

1687

BSZ900N20NS3GATMA1

Infineon Technologies AG

OEM/CM ONLY

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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSZ900N20NS3G

Infineon Technologies AG

IN stock Immediate delivery

14735

BSZ900N20NS3 G

Infineon Technologies AG

IN stock Immediate delivery

75
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSZ900N20NS3G

Infineon Technologies AG

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58
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSZ900N20NS3GATMA1

D# 45524779

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 200V 15.2A 8-Pin TSDSON EP T/R

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSZ900N20NS3G

Infineon Technologies AG

OptiMOSTM3 Power-Transistor

5241
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSZ900N20NS3GATMA1

D# 2432723

Infineon Technologies AG

MOSFET, N CH, 200V, 15.2A, TSDSON-8

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
970

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