Name: BUK652R6-40C,127
Brand: NXP
SKU: BUK652R6-40C-127
Availability: InStock
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BUK652R6-40C,127

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Numero di parte	BUK652R6-40C,127
Produttore	NXP
Descrizione	MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
Scheda dati
pacchetto	TO-220-3
ECAD
A magazzino	5.312 piece(s)
Prezzo unitario	Request a Quote
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Specifiche BUK652R6-40C,127

Produttore	NXP
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-220-3
ECAD
Serie	TrenchMOS?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	120A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.8V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	199nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	11334pF @ 25V
Vgs (massimo)	±16V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	263W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.7 mOhm @ 25A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-220AB
Pacchetto / caso	TO-220-3

BUK652R6-40C,127 Packaging

BUK652R6-40C,127 FAQ

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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D# 2156-BUK652R6-40C127-ND

Rochester Electronics LLC

MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB

3041

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Rochester Electronics LLC

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

3497

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NXP Semiconductors

OEM/CM ONLY

3046

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NXP Semiconductors

Now Nexperia BUK652R6-40C - 100A, 40V, 0.0026ohm, N-Channel Power MOSFET, TO-220AB

RoHS: Compliant

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