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BUK655R0-75C,127

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Numero di parte BUK655R0-75C,127
Produttore NXP
Descrizione MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
Scheda dati
pacchetto TO-220-3
ECAD
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Specifiche BUK655R0-75C,127

ProduttoreNXP
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-220-3
ECAD
SerieTrenchMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)75V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C120A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.8V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs177nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds11400pF @ 25V
Vgs (massimo)±16V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)263W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs5.3 mOhm @ 25A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220AB
Pacchetto / casoTO-220-3

BUK655R0-75C,127 Packaging

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Sealing
Packing
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  • 2. How does Heisener guarantee that BUK655R0-75C,127 is from the original manufacturer or authorized agents?
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MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB

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 46
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 NXP Semiconductors

OEM/CM ONLY

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Now Nexperia BUK655R0-75C - 120A, 75V, 0.0074ohm, N-Channel Power MOSFET, TO-220AB

RoHS: Compliant
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 NXP Semiconductors

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