Name: BUK751R6-30E,127
Brand: NXP
SKU: BUK751R6-30E-127
Availability: InStock
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BUK751R6-30E,127

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Numero di parte	BUK751R6-30E,127
Produttore	NXP
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB
Scheda dati
pacchetto	TO-220-3
ECAD
A magazzino	6.864 piece(s)
Prezzo unitario	Request a Quote
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Specifiche BUK751R6-30E,127

Produttore	NXP
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-220-3
ECAD
Serie	TrenchMOS?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	120A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	154nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	11960pF @ 25V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	349W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.6 mOhm @ 25A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-220AB
Pacchetto / caso	TO-220-3

BUK751R6-30E,127 Packaging

BUK751R6-30E,127 FAQ

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BUK751R6-30E/SIL3P/RAILH// - Bulk (Alt: BUK751R6-30E,127)

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Rochester Electronics LLC

MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB

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Rochester Electronics LLC

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

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NXP Semiconductors

Now Nexperia BUK751R6-30E - 120A, 30V, 0.0016ohm, N-Channel Power MOSFET, TO-220AB

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