Name: BUK751R8-40E,127
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: BUK751R8-40E-127
Availability: InStock
Rating: 5 (86 reviews)

BUK751R8-40E,127

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Numero di parte	BUK751R8-40E,127
Produttore	Nexperia USA Inc.
Descrizione	MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
Scheda dati	BUK751R8-40E,127 Scheda dati
pacchetto	TO-220-3
ECAD
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Specifiche BUK751R8-40E,127

Produttore	Nexperia USA Inc.
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-220-3
ECAD
Serie	Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	120A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	145nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	11340pF @ 25V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	349W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.8 mOhm @ 25A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-220AB
Pacchetto / caso	TO-220-3

Scheda tecnica BUK751R8-40E,127

BUK751R8-40E,127 Packaging

BUK751R8-40E,127 FAQ

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Rochester Electronics LLC

N-CHANNEL POWER MOSFET

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MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB

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Rochester Electronics LLC

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

902

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NXP Semiconductors

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NXP Semiconductors

Now Nexperia BUK751R8-40E - Power Field-Effect Transistor, 120A, 40V, 0.0018ohm, N-Channel, MOSFET, TO-220AB

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