Name: BUK761R3-30E,118
Brand: NXP
SKU: BUK761R3-30E-118
Availability: InStock
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BUK761R3-30E,118

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Numero di parte	BUK761R3-30E,118
Produttore	NXP
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
Scheda dati
pacchetto	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
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Specifiche BUK761R3-30E,118

Produttore	NXP
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
Serie	TrenchMOS?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	120A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	154nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	11960pF @ 25V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	357W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.3 mOhm @ 25A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	D2PAK
Pacchetto / caso	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

BUK761R3-30E,118 Packaging

BUK761R3-30E,118 FAQ

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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