Name: BUK7E4R0-80E,127
Brand: NXP
SKU: BUK7E4R0-80E-127
Availability: InStock
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BUK7E4R0-80E,127

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Numero di parte	BUK7E4R0-80E,127
Produttore	NXP
Descrizione	MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK
Scheda dati
pacchetto	TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
ECAD
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Specifiche BUK7E4R0-80E,127

Produttore	NXP
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
ECAD
Serie	TrenchMOS?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	80V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	120A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	169nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	12030pF @ 25V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	349W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4 mOhm @ 25A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	I2PAK
Pacchetto / caso	TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

BUK7E4R0-80E,127 Packaging

BUK7E4R0-80E,127 FAQ

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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Rochester Electronics LLC

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Rochester Electronics LLC

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

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OEM/CM ONLY

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