Name: BUK9Y9R9-80E,115
Brand: NXP
SKU: BUK9Y9R9-80E-115
Availability: InStock
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BUK9Y9R9-80E,115

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Numero di parte	BUK9Y9R9-80E,115
Produttore	NXP
Descrizione	MOSFET N-CH 80V LFPAK
Scheda dati
pacchetto	SC-100, SOT-669
ECAD
A magazzino	7.664 piece(s)
Prezzo unitario	Request a Quote
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Specifiche BUK9Y9R9-80E,115

Produttore	NXP
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	SC-100, SOT-669
ECAD
Serie	-
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	80V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	-
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	-
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	-
Vgs (massimo)	-
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
temperatura di esercizio	-
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	LFPAK56, Power-SO8
Pacchetto / caso	SC-100, SOT-669

BUK9Y9R9-80E,115 Packaging

BUK9Y9R9-80E,115 FAQ

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D# BUK9Y9R9-80E,115-ND

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MOSFET N-CH 80V LFPAK56 PWR-SO8

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