Name: CM150E3U-12H
Brand: Powerex Inc.
SKU: CM150E3U-12H
Availability: InStock
Rating: 5 (130 reviews)

CM150E3U-12H

Per Riferimento Soltanto

Numero di parte	CM150E3U-12H
Produttore	Powerex Inc.
Descrizione	IGBT MOD CHOP 600V 150A U SER
Scheda dati
pacchetto	Module
ECAD
A magazzino	4.336 piece(s)
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Specifiche CM150E3U-12H

Produttore	Powerex Inc.
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - IGBT - Moduli
pacchetto	Module
ECAD
Serie	IGBTMOD?
Tipo IGBT	-
Configurazione	Single
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	600V
Corrente - Collector (Ic) (Max)	150A
Potenza - Max	600W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	3V @ 15V, 150A
Corrente - Limite del collettore (max)	1mA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce	13.2nF @ 10V
Ingresso	Standard
Termistore NTC	No
temperatura di esercizio	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Chassis Mount
Pacchetto / caso	Module
Pacchetto dispositivo fornitore	Module

CM150E3U-12H Packaging

CM150E3U-12H FAQ

1. How to order CM150E3U-12H on Heisener?

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2. How does Heisener guarantee that CM150E3U-12H is from the original manufacturer or authorized agents?

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3. Are the CM150E3U-12H price and inventory displayed accurate?

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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the CM150E3U-12H we delivered, we will accept the replacement or return of the CM150E3U-12H only when all of the below conditions are fulfilled:

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

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Powerex Power Semiconductors

IGBT, MODULE, 600V, 150A, Transistor Polarity:N Channel, DC Collector Current:150A, Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):600V, Power Dissipation Pd:600W, Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V, No. of Pins:5, Packaging:Each , RoHS Compliant: Yes

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Mitsubishi Electric

RoHS (ship within 1day) - D/C 2013

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D# CM150E3U-12H-ND

Powerex Power Semiconductors

IGBT MOD 600V 150A 600W

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Mitsubishi Electric

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INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 150A I(C), 600V V(BR)CES, N-CHANNEL

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