| Numero di parte | CSD17382F4T |
|---|---|
| Produttore | Texas Instruments |
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 2.3A PICOSTAR |
| Scheda dati | |
| pacchetto | 3-XFDFN |
| ECAD |
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| A magazzino | 30.054 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
| Tempi di Consegna | Essere confermato |
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| Produttore | Texas Instruments |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | 3-XFDFN |
| ECAD |
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| Serie | FemtoFET? |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.3A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.8V, 8V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.7nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 347pF @ 15V |
| Vgs (massimo) | 10V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 500mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 64 mOhm @ 500mA, 8V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 3-PICOSTAR |
| Pacchetto / caso | 3-XFDFN |
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SR211A121JARTR1 | AVX Corporation, CAP CER 120PF 100V NP0 RADIAL, Radial, FemtoFET? | Visualizza |
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HDWM-09-59-S-S-355-SM | Samtec Inc., .050" BOARD SPACERS, -, FemtoFET? | Visualizza |
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X4323V8I-2.7 | Renesas Electronics America, IC SUPERVISOR CPU 32K EE 8-TSSOP, 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width), FemtoFET? | Visualizza |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
CSD17382F4 D# V36:1790_14839704 |
Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A T/R RoHS: Compliant
|
0 |
CSD17382F4T D# V72:2272_14839705 |
Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A T/R RoHS: Compliant
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
CSD17382F4T D# 296-44148-1-ND |
Texas Instruments |
MOSFET N-CH 30V 2.3A 3PICOSTAR |
2485 |
CSD17382F4 D# 296-49600-1-ND |
Texas Instruments |
MOSFET N-CH 30V 2.3A 3PICOSTAR |
11511 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
CSD17382F4T D# 3009652 |
Texas Instruments |
MOSFET, N-CH, 30V, 2.3A, LGA-3 RoHS: Compliant
Min Qty: 5
Container: Cut Tape
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555 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
CSD17382F4T |
TEXAS INSTRUMENTS |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
840 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
CSD17382F4T |
Texas Instruments |
OEM/CM ONLY |
2522 |
CSD17382F4 |
Texas Instruments |
OEM/CM ONLY |
5997 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
CSD17382F4 D# 595-CSD17382F4 |
Texas Instruments |
MOSFET RoHS: Compliant
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4690 |
CSD17382F4T D# 595-CSD17382F4T |
Texas Instruments |
MOSFET RoHS: Compliant
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1921 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
CSD17382F4T D# 28AH2090 |
Texas Instruments |
MOSFET, N-CH, 30V, 2.3A, LGA-3, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:2.3A, Drain Source Voltage Vds:30V, On Resistance Rds(on):0.054ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:8V, Threshold Voltage Vgs:900mV, Power RoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 5
Container: Cut Tape
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555 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
CSD17382F4T |
Texas Instruments |
OEM/CM ONLY |
670 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
CSD17382F4T |
Texas Instruments |
30-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single LGA 1 mm x 0.6mm, 67 mOhm, gate ESD protection |
23 |
CSD17382F4 |
Texas Instruments |
30-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single LGA 1 mm x 0.6mm, 67 mOhm, gate ESD protection |
22 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
CSD17382F4T D# 25809640 |
Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A T/R RoHS: Compliant
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
CSD17382F4T D# 3009652 |
Texas Instruments |
MOSFET, N-CH, 30V, 2.3A, LGA-3 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
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555 |
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