| Numero di parte | CSD17559Q5T |
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| Produttore | Texas Instruments |
| Descrizione | N-CHANNEL NEXFET POWER MOSFET |
| Scheda dati | |
| pacchetto | 8-PowerTDFN |
| ECAD |
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| A magazzino | 7.760 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
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| Produttore | Texas Instruments |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | 8-PowerTDFN |
| ECAD |
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| Serie | NexFET? |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 100A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.7V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 51nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 9200pF @ 15V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 3.2W (Ta), 96W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.15 mOhm @ 40A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-VSON-CLIP (5x6) |
| Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
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SIT1602BI-73-33N-66.666660G | SiTIME, -40 TO 85C, 2016, 50PPM, 3.3V, 6, -, NexFET? | Visualizza |
 
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
CSD17559Q5T D# V36:1790_07248792 |
Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
CSD17559Q5T D# 296-CSD17559Q5TCT-ND |
Texas Instruments |
MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON |
488 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
CSD17559Q5T |
Texas Instruments |
OEM/CM ONLY |
7772 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
CSD17559Q5T |
Texas Instruments |
30-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 5 mm x 6 mm, 1.5 mOhm |
0 |
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