Name: CSD85312Q3E
Brand: Texas Instruments
SKU: CSD85312Q3E
Availability: InStock
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CSD85312Q3E

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Numero di parte	CSD85312Q3E
Produttore	Texas Instruments
Descrizione	MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON
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pacchetto	8-PowerVDFN
ECAD
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Specifiche CSD85312Q3E

Produttore	Texas Instruments
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchetto	8-PowerVDFN
ECAD
Serie	NexFET?
Tipo FET	2 N-Channel (Dual) Common Source
Caratteristica FET	Logic Level Gate, 5V Drive
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	39A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12.4 mOhm @ 10A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	15.2nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2390pF @ 10V
Potenza - Max	2.5W
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	8-PowerVDFN
Pacchetto dispositivo fornitore	8-VSON (3.3x3.3)

CSD85312Q3E Packaging

CSD85312Q3E FAQ

1. How to order CSD85312Q3E on Heisener?

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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the CSD85312Q3E we delivered, we will accept the replacement or return of the CSD85312Q3E only when all of the below conditions are fulfilled:

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of CSD85312Q3E.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

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20V, N ch NexFET MOSFET dual common source SON3x3, 14mOhm

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MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON

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D# 296-37187-1-ND

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MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON

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1887

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CSD85312Q3E

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CSD85312Q3E 20V, N Channel NexFET MOSFET, dual common source SON3x3, 14mOhm

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20-V, N channel NexFET™ power MOSFET, dual common source SON 3 mm x 3, 14 mOhm

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