Name: DMJ70H900HJ3
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMJ70H900HJ3
Availability: InStock
Rating: 5 (189 reviews)

DMJ70H900HJ3

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Numero di parte	DMJ70H900HJ3
Produttore	Diodes Incorporated
Descrizione	MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251
Scheda dati	DMJ70H900HJ3 Scheda dati
pacchetto	TO-251-3, IPak, Short Leads
ECAD
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Specifiche DMJ70H900HJ3

Produttore	Diodes Incorporated
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-251-3, IPak, Short Leads
ECAD
Serie	Automotive, AEC-Q101
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	700V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	7A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	18.4nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	603pF @ 50V
Vgs (massimo)	±30V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	900 mOhm @ 1.5A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-251
Pacchetto / caso	TO-251-3, IPak, Short Leads

Scheda tecnica DMJ70H900HJ3

DMJ70H900HJ3 Packaging

DMJ70H900HJ3 FAQ

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

DMJ70H900HJ3

D# DMJ70H900HJ3

Diodes Incorporated

MOSFET BVDSS: 651V~800V TO251 TUBE 75PCS - Rail/Tube (Alt: DMJ70H900HJ3)

RoHS: Compliant

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

DMJ70H900HJ3

D# DMJ70H900HJ3

Diodes Incorporated

MOSFET BVDSS: 651V~800V TO251 TUBE 75PCS (Alt: DMJ70H900HJ3)

RoHS: Compliant

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

DMJ70H900HJ3

D# DMJ70H900HJ3-ND

Diodes Incorporated

MOSFET N-CH 700V 7A TO251

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