Name: DMT8012LSS-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMT8012LSS-13
Availability: InStock
Rating: 5 (164 reviews)

DMT8012LSS-13

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Numero di parte	DMT8012LSS-13
Produttore	Diodes Incorporated
Descrizione	MOSFET N-CHA 80V 9.7A SO8
Scheda dati	DMT8012LSS-13 Scheda dati
pacchetto	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
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Specifiche DMT8012LSS-13

Produttore	Diodes Incorporated
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
Serie	Automotive, AEC-Q101
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	80V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	9.7A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	34nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1949pF @ 40V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	16.5 mOhm @ 12A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	8-SO
Pacchetto / caso	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Scheda tecnica DMT8012LSS-13

DMT8012LSS-13 Packaging

DMT8012LSS-13 FAQ

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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D# V36:1790_15966234

Zetex / Diodes Inc

Trans MOSFET N-CH 80V 9.7A 8-Pin SO T/R

RoHS: Compliant

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D# DMT8012LSS-13

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MOSFET BVDSS: 61V~100V SO-8 T&R 2.5K - Tape and Reel (Alt: DMT8012LSS-13)

RoHS: Compliant

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D# DMT8012LSS-13

Diodes Incorporated

MOSFET BVDSS: 61V~100V SO-8 T&R 2.5K (Alt: DMT8012LSS-13)

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D# DMT8012LSS-13DITR-ND

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