Name: EPC2021ENG
Brand: EPC
SKU: EPC2021ENG
Availability: InStock
Rating: 5 (137 reviews)

EPC2021ENG

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Numero di parte	EPC2021ENG
Produttore	EPC
Descrizione	TRANS GAN 80V 60A BUMPED DIE
Scheda dati	EPC2021ENG Scheda dati
pacchetto	Die
ECAD
A magazzino	7.752 piece(s)
Prezzo unitario	Request a Quote
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Specifiche EPC2021ENG

Produttore	EPC
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	Die
ECAD
Serie	eGaN?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss)	80V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	60A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	5V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 14mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	15nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1700pF @ 40V
Vgs (massimo)	+6V, -4V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.5 mOhm @ 29A, 5V
temperatura di esercizio	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	Die
Pacchetto / caso	Die

Scheda tecnica EPC2021ENG

EPC2021ENG Packaging

EPC2021ENG FAQ

1. How to order EPC2021ENG on Heisener?

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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the EPC2021ENG we delivered, we will accept the replacement or return of the EPC2021ENG only when all of the below conditions are fulfilled:

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of EPC2021ENG.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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D# 917-EPC2021ENGRCT-ND

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GANFET N-CH 80V 60A DIE

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